一种双保护厄他培南晶型及其制备工艺

摘要

本发明涉及医药中间体合成技术领域，尤其涉及一种厄他培南中间体晶型及其制备工艺技术领域，具体为一种双保护厄他培南晶型及其制备工艺，所述的双保护基厄他培南晶型在衍射角2θ为5.7±0.2°,8.6±0.2°,12.8±0.2°,14.3±0.2°,15.8±0.2°,16.7±0.2°,18.0±0.2°处有特征峰。