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用于动态随机存取存储器(DRAM)的具有凹板部分的电容器及其形成方法

摘要

一种电容器包括设置在位于衬底之上的第一电介质层内的沟槽。第一金属板沿沟槽的底部和侧壁设置。第二电介质层被设置在第一金属板上并与之共形。第一金属板的直接毗邻于第二电介质层的部分相对于第二电介质层的侧壁凹进。第二金属板被设置在第二电介质层上并与之共形。第二金属板的直接毗邻于第二电介质层的部分相对于第二电介质层的侧壁凹进。第三电介质层被设置在第一金属板、第二电介质层以及第二金属板之上,并设置在第一金属板和第二电介质层之间以及在第二金属板和第二电介质层之间。

著录项

  • 公开/公告号CN103270594B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201180062122.8

  • 发明设计人 N·林德特;

    申请日2011-11-21

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人邢德杰

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-10

    授权

    授权

  • 2013-09-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20111121

    实质审查的生效

  • 2013-08-28

    公开

    公开

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