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脉冲电化学抛光方法及装置

摘要

揭示了一种用于脉冲电化学抛光晶圆的方法及装置。该方法包括下述步骤:建立占空比表,占空比表揭示了晶圆上所有点、与各点相对应的金属层去除厚度值及与金属层去除厚度值相对应的占空比;驱动夹持并定位晶圆(8)的晶圆夹盘(5)以预设的速度移动,以使得晶圆上一特定点位于向晶圆(8)喷射带电荷的电解液(7)的喷嘴(6)的正上方;查占空比表,获得与该特定点相对应的金属层去除厚度值及占空比;及提供预设的脉冲电源至晶圆(8)及喷嘴(6),抛光该特定点的实际抛光电源等于与该特定点相对应的占空比乘以预设的脉冲电源。

著录项

  • 公开/公告号CN104471690B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 盛美半导体设备(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201280073426.9

  • 发明设计人 王坚;金一诺;王俊;王晖;

    申请日2012-05-24

  • 分类号H01L21/321(20060101);B23H3/02(20060101);B24B57/02(20060101);C25F3/16(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陆嘉

  • 地址 201203 上海张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢

  • 入库时间 2022-08-23 09:54:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-27

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/321 变更前: 变更后: 申请日:20120524

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2017-04-19

    授权

    授权

  • 2017-04-19

    授权

    授权

  • 2015-05-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/321 申请日:20120524

    实质审查的生效

  • 2015-05-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/321 申请日:20120524

    实质审查的生效

  • 2015-03-25

    公开

    公开

  • 2015-03-25

    公开

    公开

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