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电子元器件的厚度测定方法、电子元器件卷盘及其制造方法、以及电子元器件的检查装置

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摘要

本发明的电子元器件的厚度测定方法包括：在第1图像数据的多个第2基准线和第2图像数据的多个第2基准线中，仅提取出位于相同相同的位置且第2基准线彼此的强度峰值之差最小的第2基准线(210c)，并形成包括第1基准线(220c)和所提取出的第2基准线(210c)的第3图像数据(200c)的工序；以及根据第3图像数据(200c)的第1基准线(220c)和第2基准线(210c)之间的间隔(Lc)来计算出电子元器件的厚度的工序。

著录项

公开/公告号CN104279970B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-12

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社村田制作所;
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申请/专利号CN201410328475.3
发明设计人西冈良直;春木雅良;
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申请日2014-07-10
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人胡秋瑾
地址日本京都府
入库时间 2022-08-23 09:54:55

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-04-12

授权

授权
2015-02-11

实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 11/06 申请日:20140710

实质审查的生效
2015-01-14

公开

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