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具有不对称栅极的提供双向电荷转移的矩阵图像传感器

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本发明涉及一种图像传感器，尤其是时间延迟和累积(TDI)传感器。根据本发明，该传感器包括成行的光电二极管，成行的光电二极管与邻近光电二极管的成行的栅极交替。栅极是不对称的，在一侧邻近光电二极管并且在另一侧包括向另一个光电二极管延伸的窄栅极突指(20)。由于其非常窄的宽度，突指赋予电荷的转移方向性。在两个连续的光电二极管(PH1

著录项

公开/公告号CN104303306B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-12

原文格式PDF
申请/专利权人 E2V半导体公司;
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申请/专利号CN201380023055.8
发明设计人 F·迈耶;
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申请日2013-04-11
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址法国圣埃格雷沃
入库时间 2022-08-23 09:54:34

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-03

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/148 变更前: 变更后: 申请日:20130411

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2017-04-12

授权

授权
2017-04-12

授权

授权
2015-05-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/148 申请日:20130411

实质审查的生效
2015-05-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/148 申请日:20130411

实质审查的生效
2015-01-21

公开

公开
2015-01-21

公开

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