法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-22
授权
授权
2014-08-20
实质审查的生效 IPC(主分类):E21B 36/00 申请日:20121004
实质审查的生效
2014-07-23
公开
公开
机译: 形成加热器和相变元件之间具有低偏差接触面积的相变存储器(PCM)单元的方法
机译: 用于形成在加热器和相变元件之间具有低偏差接触面积的相变存储(PCM)单元的方法
机译: 形成加热器和相变元件之间具有低偏差接触面积的相变存储器(PCM)单元的方法