用于掩膜植入编码ROM的生根的双层编码光罩

摘要

本发明揭示了一种用于掩膜植入编码ROM的生根的双层编码光罩，其是在基板上，由多条多晶硅-金属字元线及位元线所构成的，而位元线和多晶硅-金属字元线是正交的，且位元线为埋入P-掺杂Si内的N-掺杂区域的带状物，其特征在于：第一光阻层被形成而覆盖于多晶硅-字元线上，且经由层叠式(或整板式)曝光的实施，以使第一光阻层生根而嵌于多晶硅字元线沟槽的表面上；以及第二光阻层被形成，且经由粘着处理的实施而粘着于第一光阻层，并以编码掩膜来实施码-图案化曝光及显影，以使孤立的码柱状物被本征或自然地粘着于第一生根的光阻层，藉此，孤立的码柱状物被牢固地锁定在嵌于字元线沟槽表面上的第一生根的光阻层上，因此，得以避免码光罩柱状物的塌陷、剥落及漂移。