公开/公告号CN105000586B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司;
申请/专利号CN201510483352.1
发明设计人 梁锦平;
申请日2015-08-03
分类号
代理机构四川省成都市天策商标专利事务所;
代理人刘渝
地址 617000 四川省攀枝花市东区桃源街90号
入库时间 2022-08-23 09:52:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-15
授权
授权
2015-11-25
实质审查的生效 IPC(主分类):C01F 17/00 申请日:20150803
实质审查的生效
2015-10-28
公开
公开
机译: 提高掺杂剂弱掺杂的非晶态氢化硅的掺杂效率和电导率变化的方法
机译: 可以双向阻隔的可控半导体元件在第一和第二导电区之间实现更高的阻隔电压-具有带有用于连接连接电极的强掺杂区的第一导电区和包含强掺杂区的弱掺杂区
机译: 高表面积加多林掺杂的氧化铈和氧化铈纳米巴士的合成工艺