法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-25
授权
授权
2014-10-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20140719
实质审查的生效
2014-10-08
公开
公开
机译: 基于量子点传递过程的微观平面QLED阵列装置,基于深硅蚀刻模板的量子点传输过程,与制备方法
机译: -Cu-In-S方法,用于制造发射可见到近红外的基于Cu-In-S的量子点
机译: 辐照基于铅的量子点以产生紧凑的薄型按需校准源的一部分,以产生近红外磷