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一种以石墨烯作为导电材料的铜铟硒纳米晶硅薄膜太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种以石墨烯作为导电材料的铜铟硒纳米晶硅薄膜太阳电池及其制备方法。以p型重掺杂石墨烯作为衬底,通过离子束溅射法在p型重掺杂石墨烯上制备p型铜铟硒薄膜,通过蒸发法在p型铜铟硒薄膜表面沉积n型硫化镉薄膜,采用化学气相沉积法在n型硫化镉薄膜表面制备本征石墨烯过渡层,再在本征石墨烯过渡层上通过等离子增强化学气相沉积法依次制备p型与n型纳米晶硅薄膜,接着在n型纳米晶硅薄膜上通过化学气相沉积法制备n型重掺杂石墨烯薄膜,最后在n型重掺杂石墨烯薄膜表面以及p型重掺杂石墨烯衬底表面通过蒸发法制备金属电极。本发明的优点在于制作工艺简单,成本低廉,不仅扩展了传统铜铟硒薄膜太阳电池的光波吸收范围,而且充分发挥了石墨烯高导电性,高透光率以及良好的光照热稳定性的优势,提高了太阳电池的转换效率和使用寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN104332515B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南师范大学;

    申请/专利号CN201410609550.3

  • 发明设计人 罗云荣;李春龙;伍德亮;陈冬妮;

    申请日2014-11-04

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 410081 湖南省长沙市岳麓区麓山路36号

  • 入库时间 2022-08-23 09:50:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-11

    授权

    授权

  • 2015-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0445 申请日:20141104

    实质审查的生效

  • 2015-02-04

    公开

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