高性能可扩展只读存储器单元

摘要

本发明涉及一种二位只读存储器（ROM）单元以及检测其数据状态的方法。阵列中的每个ROM单元包括单一n沟道金属‑氧化物‑半导体（MOS）晶体管，该晶体管带有偏置参考电压的源极，以及晶体管的漏极，该漏极通过接触或通孔连接至阵列中与其列相关的第一、第二和第三位线中的一个或一个都不连接。阵列中的每一行与用于该行的单元的晶体管栅极的字线有关。为了读出，列选择电路响应列地址，选择三个位线中的一对使其以线“或非”方式应用到读出线中。