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用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑及表面处理方法

摘要

本发明公开的用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑及表面处理方法,通过使用本发明中的不对称脉冲,在输出电压为正时,进行等离子体电解氧化的工艺过程,陶瓷层处于生长阶段;在输出电压为负时,陶瓷层生长间断,电源对工件表面进行清洗,熄灭在加工时产生的电弧,使工件表面陶瓷层粗糙程度降低,表面致密、光滑。

著录项

  • 公开/公告号CN103762882B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安理工大学;

    申请/专利号CN201410027303.2

  • 申请日2014-01-21

  • 分类号H02M9/02(20060101);C25D11/02(20060101);

  • 代理机构61214 西安弘理专利事务所;

  • 代理人李娜

  • 地址 710048 陕西省西安市金花南路5号

  • 入库时间 2022-08-23 09:49:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-04

    授权

    授权

  • 2014-06-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 9/02 申请日:20140121

    实质审查的生效

  • 2014-04-30

    公开

    公开

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