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使用扩散接触结构的基于交叉耦合的设计

摘要

本发明揭示一种用于提供使用扩散接触结构的基于交叉耦合的设计的方法。实施例包含下列步骤:提供在一衬底上方的第一及第二栅极结构;提供穿越该第一栅极结构的第一栅极截止区,以及穿越该第二栅极结构的第二栅极截止区;提供在该第一栅极结构上方的第一栅极接触件,以及在该第二栅极结构上方的第二栅极接触件;以及提供在该第一及该第二栅极截止区之间以使该第一栅极接触件耦合至该第二栅极接触件的一扩散接触结构。

著录项

  • 公开/公告号CN103579091B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格罗方德半导体公司;

    申请/专利号CN201310042100.6

  • 申请日2013-02-01

  • 分类号H01L21/768(20060101);H01L23/535(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;王锦阳

  • 地址 英属开曼群岛大开曼岛

  • 入库时间 2022-08-23 09:49:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-28

    授权

    授权

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20130201

    实质审查的生效

  • 2014-02-12

    公开

    公开

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