用于半导体装置性能改善的涂层

摘要

用于半导体装置性能改善的涂层，等离子体处理腔室具有增强型涂层的气体喷淋头和延伸的下电极。所述延伸的下电极可由聚焦环、覆盖环和等离子体约束环的一个或多个组成。延伸的下电极可利用一个一片式的复合覆盖环制成。所述复合覆盖环可由Al₂O₃制成并具有抗等离子体Y₂O₃涂层。所述等离子体约束环可以包括一流量均衡化离子屏蔽装置，其也可具有抗等离子体涂层。所述延伸电极的抗等离子体涂层可具有配合气体喷淋头的成份。