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片层界面择优定向的γ-TiAl合金细小全片层组织制备方法

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本发明涉及属于γ‑TiAl基合金金属间化合物领域，尤其是一种片层界面择优定向的γ‑TiAl合金细小全片层组织制备方法。该方法基于γ‑TiAl合金在热变形与后续热处理过程中的组织织构演变而得到片层界面择优定向的细小全片层组织。技术特点为：a.采用热变形工艺加工γ‑TiAl合金；b.γ‑TiAl合金变形组织中α

著录项

公开/公告号CN103757571B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-23

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院金属研究所;
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申请/专利号CN201410038402.0
发明设计人刘仁慈;刘冬;崔玉友;杨锐;
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申请日2014-01-24
分类号
代理机构沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张志伟
地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2022-08-23 09:48:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-08

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C22F 1/00 授权公告日:20161123 终止日期:20180124 申请日:20140124

专利权的终止
2016-11-23

授权

授权
2016-11-23

授权

授权
2014-06-04

实质审查的生效 IPC(主分类):C22F1/00 申请日:20140124

实质审查的生效
2014-06-04

实质审查的生效 IPC(主分类):C22F 1/00 申请日:20140124

实质审查的生效
2014-04-30

公开

公开
2014-04-30

公开

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