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V波段行波管输能结构及其制造方法

摘要

一种V波段行波管输能结构,属于真空电子器件领域,输能结构上部为利于配合焊接的帽形波导法兰,与波导法兰相连的是底部呈斜坡渐变形的波导底及与波导底相焊接的波导盖,它们的下部连有杆形输能内导体及三通一体化转换头。流程步骤为:初步确定波导输能结构零部件尺寸大小;建立三维输能结构模型,模拟和优化,确定结构参数尺寸;输能结构各零部件加工制造;零部件去油、酸洗;将各部件进行工艺装配,银铜焊料氢炉焊接,测量输能结构反射电压驻波比。该方法降低输能结构反射电压驻波比,有利于提高行波管效率,该输能结构工作带宽5GHz内反射电压驻波比降低到1.5以下。

著录项

  • 公开/公告号CN103474316B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201310401770.2

  • 申请日2013-09-06

  • 分类号

  • 代理机构工业和信息化部电子专利中心;

  • 代理人李勤媛

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路13号

  • 入库时间 2022-08-23 09:48:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-11-09

    授权

    授权

  • 2014-03-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 23/36 申请日:20130906

    实质审查的生效

  • 2013-12-25

    公开

    公开

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