首页> 中国专利> 无定形导电性氧化物膜的形成方法

无定形导电性氧化物膜的形成方法

摘要

本发明提供无定形导电性氧化物膜的形成方法,其特征在于,进行以下工序:在基板上涂布含有a×y摩尔份的(A1)、a×(1‑y)摩尔份的(A2)、1摩尔份的(B)和(C)的组合物,形成涂膜,在氧化性气氛下加热该涂膜,其中,(A1)选自由除铈以外的镧系元素中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物,(A2)选自由铅、铋、镍、钯、铜和银中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物;(B)选自由钌、铱、铑和钴中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐、卤化物、亚硝酰基羧酸盐、亚硝酰基硝酸盐、亚硝酰基硫酸盐和亚硝酰基卤化物的1种以上金属化合物;以及(C)含有选自羧酸、醇、酮、二醇和二醇醚的1种以上的溶剂。

著录项

  • 公开/公告号CN103946930B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201280056688.4

  • 发明设计人 下田达也;李金望;

    申请日2012-11-15

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人孔青

  • 地址 日本埼玉县

  • 入库时间 2022-08-23 09:47:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-02

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01B 13/00 授权公告日:20161012 终止日期:20171115 申请日:20121115

    专利权的终止

  • 2016-10-12

    著录事项变更 IPC(主分类):H01B13/00 变更前: 变更后: 申请日:20121115

    著录事项变更

  • 2016-10-12

    授权

    授权

  • 2016-10-12

    著录事项变更 IPC(主分类):H01B 13/00 变更前: 变更后: 申请日:20121115

    著录事项变更

  • 2016-10-12

    授权

    授权

  • 2014-08-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B13/00 申请日:20121115

    实质审查的生效

  • 2014-08-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20121115

    实质审查的生效

  • 2014-07-23

    公开

    公开

  • 2014-07-23

    公开

    公开

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