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获得NVM位元的I-V曲线的数字方法

摘要

本公开涉及获得NVM位元的I‑V曲线的数字方法。通过改变数字寄存器设置值,并且搜索每个Iref值时每个位元的转变栅极电压(Vg),以便在测试模块或电路(110)的控制下使用可数字调整的栅极电压控制电路(117)和参考电流电路(123)获得位元I‑V曲线,通过改变Iref值,在用户测试/诊断模式期间使用参考电流(Iref)值和相关联的数字寄存器设置值的校准表(160)。

著录项

  • 公开/公告号CN102682850B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-10-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 飞思卡尔半导体公司;

    申请/专利号CN201210029471.6

  • 发明设计人 何晨;理查德·K·埃谷奇;

    申请日2012-02-10

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人申发振

  • 地址 美国得克萨斯

  • 入库时间 2022-08-23 09:47:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-21

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C 29/04 变更前: 变更后: 申请日:20120210

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-10-05

    授权

    授权

  • 2016-10-05

    授权

    授权

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/04 申请日:20120210

    实质审查的生效

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/04 申请日:20120210

    实质审查的生效

  • 2012-09-19

    公开

    公开

  • 2012-09-19

    公开

    公开

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