一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管的生长方法

摘要

本发明提供一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管的生长方法，其LED外延结构，从下向上的顺序依次包括：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型InAlGaN电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，本发明中复合结构的P型In_yAl_xGa_1‑x‑yN电子阻挡层，一是通过In组分的加入，调节In_yAl_xGa_1‑x‑yN晶格常数，可以达到与P型GaN层以及多量子阱层之间的晶格匹配，减少位错密度并提高晶体质量，获得希望的能带间隙值和能带偏移率，从而有效降低电子泄漏，提高空穴的注入率；二是P型InAlGaN电子阻挡层的渐变结构设计，避免了对空穴纵向迁移的限制，从而提高空穴的注入效率，进而提高氮化镓基发光二极管的发光效率。