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一种NAND闪存系统的数据存储容错编码方法

摘要

本发明公开了一种NAND闪存系统的数据存储容错编码方法,该方法为:将初始数据从左到右进行迭代异或,左起第一位不变,生成码字;判断所述码字的0的数据个数是否过半,若过半,则对码字进行翻转,并在翻转后的数据最后添加标识位。本发明的方法能减少NAND闪存中待存入数据里CSPs数据模式,降低充电峰值电流,提高电压相对较低的区域中数据存储率,降低电压衰减导致的数据错误,从而加强数据可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN103942115B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南大学;

    申请/专利号CN201410162872.8

  • 申请日2014-04-22

  • 分类号

  • 代理机构长沙正奇专利事务所有限责任公司;

  • 代理人马强

  • 地址 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:46:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-05

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 11/10 授权公告日:20160914 终止日期:20180422 申请日:20140422

    专利权的终止

  • 2016-09-14

    授权

    授权

  • 2016-09-14

    授权

    授权

  • 2014-08-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F11/10 申请日:20140422

    实质审查的生效

  • 2014-08-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 11/10 申请日:20140422

    实质审查的生效

  • 2014-07-23

    公开

    公开

  • 2014-07-23

    公开

    公开

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