公开/公告号CN103635161B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 D-REV:专为其他百分之九十设计公司;
申请/专利号CN201280021234.3
申请日2012-03-05
分类号
代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司;
代理人汤慧华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:46:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-31
授权
授权
2014-04-09
实质审查的生效 IPC(主分类):A61F 2/64 申请日:20120305
实质审查的生效
2014-03-12
公开
公开
机译: 制造中心电极的方法,该中心电极为双金属的火花塞板的尖端和根据该方法制得的电极
机译: 钻孔,由具有中心轴的电晕组成,该电晕由至少一个电晕构成,该电晕包括一个段,一个二等分和多个组成整体的元素或表面特征,其中元素或特征极为不同。它们以金属丝网的形式从平坦的门廊向外延伸,从轴线的第一个半径开始。
机译: 隔离的以漏极为中心的横向MOSFET