公开/公告号CN218939682U
专利类型实用新型
公开/公告日2023-04-28
原文格式PDF
申请/专利权人 上海亥芯电子科技有限公司;
申请/专利号CN202223342294.5
发明设计人 张海峰;
申请日2022-12-14
分类号H01L25/18;H01L25/065;
代理机构
代理人
地址 200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区新杨公路860号10幢
入库时间 2023-06-01 21:53:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-28
授权
实用新型专利权授予
机译: 通用封装中具有集成驱动器的Power mosfet
机译: 通用封装中具有集成驱动器的Power mosfet
机译: 使用3D互连层压板将垂直封装的MOSFET和IC功率器件作为集成模块