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一种Power MOSFET和MOSFET driver结合的IC封装

摘要

本实用新型涉及半导体技术领域,具体公开了一种Power MOSFET和MOSFET driver结合的IC封装,包括Multi‑dies IC,所述Multi‑dies IC上封装Driver IC晶粒和Power MOSFET晶粒;本实用新型中把两种功能的晶粒在封装中做合并,就可以用一个IC的空间来做本来两个IC的功能,进而节省了系统板的面积。

著录项

  • 公开/公告号CN218939682U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2023-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海亥芯电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202223342294.5

  • 发明设计人 张海峰;

    申请日2022-12-14

  • 分类号H01L25/18;H01L25/065;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区新杨公路860号10幢

  • 入库时间 2023-06-01 21:53:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-28

    授权

    实用新型专利权授予

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