一种高介质耐电压的光MOS固体继电器

摘要

本实用新型公开了一种高介质耐电压的光MOS固体继电器，包括陶瓷管壳和密封所述陶瓷管壳的金属盖板；陶瓷管壳的两侧分别固定有输入脚和输出脚；陶瓷管壳内设置有SiC MOSFET芯片、光伏组件阵列芯片、陶瓷基板和固定在陶瓷基板底部的红外发光二极管芯片；光伏组件阵列芯片与红外发光二极管芯片相对设置，并与SiC MOSFET芯片电连接；SiC MOSFET芯片与输出脚电连接。本实用新型采用陶瓷密封结构，介质耐电压指标达到4500Vr.m.s。