一种大面积高位置分辨率超纯高阻硅像素探测器

摘要

本实用新型公开了一种大面积高位置分辨率超纯高阻硅像素探测器，所述硅像素探测器包括正四棱柱状的硅基体，硅基体上底面刻蚀有正方形的中央阳极，硅基体下底面中间刻蚀正方形的中央阴极，中央阳极与中央阴极的中心重叠，中央阴极外侧设有二氧化硅基体；所述硅像素探测器上下收集阴极阳极类似于平行板电容器，可运用平行板电容器的计算方法，得出最佳的晶圆厚度，该结构全耗尽的电压更低，降低了芯片被偏压击穿的概率，降低了电极工艺难度，芯片成品率高，减少了外接电路工作量，降低了封装难度，其结构简单，易于芯片工艺制成和外接封装。