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一种在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法

摘要

本发明提供一种在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法,将成型多孔碳多次清洗烘干后与铜盐溶液反应,将反应后的多孔碳取出烘干即在成型多孔碳的表面生长出立方体纳米氧化亚铜颗粒。本发明基于原电池原理,利用成型多孔碳表面及孔中的还原性官能团直接还原铜盐溶液,无需添加任何还原剂和表面活性剂,在成型多孔碳的表面生长出的纳米氧化亚铜颗粒形态可控、性能稳定,可直接作为催化剂使用。与传统的方法比较,本发明提出了一种全新的反应机制,体系简单、反应条件温和、稳定性好、成本低、效益高,无毒无害、绿色环保,是一种非常具有前景的立方体纳米氧化亚铜颗粒制备方法。

著录项

  • 公开/公告号CN104512878B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN201310461761.2

  • 申请日2013-09-30

  • 分类号C01B31/02(20060101);C01G3/02(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所;

  • 代理人许亦琳;余明伟

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 09:45:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    授权

    授权

  • 2015-05-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 31/02 申请日:20130930

    实质审查的生效

  • 2015-04-15

    公开

    公开

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