首页> 中国专利> 一种原位自生高体积分数Mg2Si增强Mg-Al基复合材料的制备方法

一种原位自生高体积分数Mg2Si增强Mg-Al基复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种原位自生Mg2Si增强Mg‑Al基复合材料的制备方法,属于复合材料制备领域。该方法适用于成分为Mg‑9Al‑xSi(2<x<10,x为质量分数)的镁合金,其Mg2Si体积分数为8%‑35%,制备方法具体为:先将纯镁、纯铝和纯硅粉按成分配比放入石墨坩埚中,在氩气保护下采用高频感应加热熔炼获得母合金锭,再将母合金锭重熔至一定温度保温一段时间之后,在脉冲磁场作用下凝固而获得原位自生Mg2Si增强Mg‑Al基复合材料。与现有的普通铸造原位自生Mg2Si增强Mg‑Al基复合材料方法相比,本发明提供的制备方法可获得颗粒状初生Mg2Si增强相,尺寸更小且分布均匀,并且该制备方法具有工艺简单、无污染、能耗和成本低等优点,适用于具有高体积分数Mg2Si增强相的Mg‑Al基复合材料。

著录项

  • 公开/公告号CN104131190B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南昌航空大学;

    申请/专利号CN201410414061.2

  • 发明设计人 尹健;马修军;周志坚;尧军平;

    申请日2014-08-21

  • 分类号C22C1/03(20060101);C22C23/02(20060101);C22C23/00(20060101);C22C32/00(20060101);

  • 代理机构36111 南昌洪达专利事务所;

  • 代理人刘凌峰

  • 地址 330063 江西省南昌市丰和南大道696号

  • 入库时间 2022-08-23 09:45:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C22C 1/03 授权公告日:20160824 终止日期:20170821 申请日:20140821

    专利权的终止

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2014-12-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22C1/03 申请日:20140821

    实质审查的生效

  • 2014-12-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 1/03 申请日:20140821

    实质审查的生效

  • 2014-11-05

    公开

    公开

  • 2014-11-05

    公开

    公开

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