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公开/公告号CN216596886U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-05-24
原文格式PDF
申请/专利权人 刘剑;
申请/专利号CN202122417895.7
发明设计人 刘剑;
申请日2021-10-08
分类号G09F27/00;F21S9/03;F21V23/04;F21V33/00;
代理机构武汉尚齐知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人胡艳
地址 150000 黑龙江省哈尔滨市阿城区融媒体中心
入库时间 2022-08-23 07:00:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-24
授权
实用新型专利权授予
机译:需求 - 薄Cr基团种子层组成依赖性Cr组种子层组合物依赖性-Cr组种子层组合物浓缩-Cr组种子层的熔点,氧亲和力与介质的微观结构之间的关系
机译:薄膜磁记录介质中各种特性的超薄Cr基晶种层组成依赖性-生长方式与Cr基晶种熔点/氧亲和力与介质微观结构的关系
机译:薄膜磁记录介质的晶粒细化通过超薄高熔点WCR种子层/低H_K至(谷粒)培养基的通知
机译:一种低成本的网络应用架构模型设计一种低成本的基于移动平台的多媒体网络应用架构模形与演示系统设计与实现
机译:钢热浸镀锌对熔融金属脆性开裂的研究
机译:社交媒体数据在药品上市后安全性监测的应用
机译:论广播安全播出过程中应急处理措施