异质结IBC太阳能电池的背面结构及异质结IBC太阳能电池

摘要

本实用新型公开一种异质结IBC太阳能电池的背面结构及异质结IBC太阳能电池，包括由内向外依次设置在硅片背面的本征非晶硅薄膜层及掺杂层，所述掺杂层包括交替排列且均匀间隔设置的P+区和N+区，所述P+区包括第一P+层和第二P+层，所述N+区包括第一N+层和第二N+层；所述第一P+层为硼掺杂纳米晶硅二氧化硅层，所述第二P+层为硼掺杂纳米晶硅层；所述第一N+层为磷掺杂纳米晶硅二氧化硅层，所述第二N+层为磷掺杂纳米晶硅层。本实用新型的背面结构，通过采用掺杂纳米晶硅二氧化硅层和纳米晶硅层取代传统的掺杂非晶硅层，使得掺杂层能更好的同TCO匹配，减少光学损失；有利于提高异质结IBC太阳能电池的开路电压，降低接触电阻，提高电池的填充因子及电池效率。