法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-24
授权
授权
2014-06-11
实质审查的生效 IPC(主分类):B22F 9/24 申请日:20131226
实质审查的生效
2014-05-14
公开
公开
机译: MBE制造的CdSe / ZnMgSSe系统中具有稀疏QD阵列的异质结构,作为单光子辐射源的基本元素
机译: p + InP-pInP / CdS和p + GaAs-pGaAs / CdS异质结构的制备方法
机译: 等价替代法制备CdSe / CdTe异质结构的方法