一种集成电路用二极管触发可控硅的静电防护结构

摘要

本实用新型公开了一种集成电路用二极管触发可控硅的静电防护结构，涉及静电防护设备技术领域，包括防护罩，在防护罩的侧壁上均匀间隔设置静电导体，静电导体的顶端设置导电杆，导电杆的另一端分别固定连接于静电电容的侧壁上，静电电容设置于防护罩的顶部，且静电电容的一侧外壁上设置放电杆，放电杆的末端固定连接导线，导线的另一端连接电路基板的接地线，电路板上出现静电时，静电被防护罩侧壁上的静电导体所吸收，接着静电通过静电导体顶部的导电杆传输到防护罩顶部的静电电容中，静电电容内部的静电通过尖端放电，从静电电容一侧的导电杆传输到其末端的导线中，经导线连接的电路板接地线完成静电的对地释放，从而对可控硅进行防静电保护。