公开/公告号CN215830830U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏沃得高新农业装备有限公司;
申请/专利号CN202121852736.3
发明设计人 魏中汉;
申请日2021-08-10
分类号F15B11/17(20060101);F15B13/06(20060101);
代理机构32231 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙);
代理人吴桑
地址 212000 江苏省镇江市丹徒区丹徒新城广园路55号
入库时间 2022-08-23 04:50:36
机译: 一种用于制造用于集成电路的双漆层浮雕结构的方法,其中用于高能辐射的结构化
机译: 一种在集成电路和相应的ic结构的制造过程中形成具有两种不同厚度的双硅化钴层的方法
机译: 一种用于使用集成光波导结构的双掩模制造的方法和相关的掩模图案对。