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R-T-B系稀土磁体粉末、R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法和粘结磁体

摘要

本发明涉及R‑T‑B系稀土磁体粉末的制造方法,其利用HDDR处理得到R‑T‑B系稀土磁体粉末,该R‑T‑B系稀土磁体粉末的制造方法中,原料合金组成是R量为12.5at.%以上、14.3at.%以下,B量为4.5at.%以上、7.5at.%以下,Co量为10at.%以下,在不活泼气氛或真空气氛中将原料合金粉末升温到770℃以上、820℃以下的温度范围后,将气氛切换到含氢的气体气氛,实施以上述温度范围进行保持的第一阶段HD工序,接着,再升温到830℃以上、870℃以下的温度范围,实施以含氢的气体气氛进行保持的第二阶段HD工序。

著录项

  • 公开/公告号CN103357882B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 户田工业株式会社;

    申请/专利号CN201310108069.1

  • 发明设计人 片山信宏;川崎浩史;森本耕一郎;

    申请日2013-03-29

  • 分类号

  • 代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本,广岛县

  • 入库时间 2022-08-23 09:44:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2015-02-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):B22F 9/04 申请日:20130329

    实质审查的生效

  • 2013-10-23

    公开

    公开

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