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一种新型高强度LPCVD气体喷嘴

摘要

本实用新型涉及一种新型高强度LPCVD气体喷嘴,所属半导体晶圆加工设备技术领域,包括分流环管,所述的分流环管上端设有与分流环管相连通的进气总管,所述的分流环管下上端设有若干与分流环管相连通的送气管,所述的送气管前端设有与送气管呈一体化插嵌式连通的喷嘴,所述的喷嘴侧端设有与喷嘴相连通的泄压阀。具有结构简单、运行稳定性好和使用寿命长的特点。解决了炉芯管顶部晶圆成膜均匀性差的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN215628284U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN202122028929.3

  • 发明设计人 戚定定;

    申请日2021-08-26

  • 分类号C23C16/455(20060101);

  • 代理机构33266 杭州融方专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人沈相权

  • 地址 311201 浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号

  • 入库时间 2022-08-23 04:14:25

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