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一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构及带有该接触结构的太阳能电池

摘要

本实用新型涉及一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构及带有该接触结构的太阳能电池,隧穿型太阳能电池包括:硅衬底、电介质层及电极,电介质层的一面与硅衬底相接触;所述电介质层的另一面上设置所述接触结构,所述接触结构包括:多晶硅层和掺杂层;所述掺杂层与多晶硅层相互交替设置在所述电介质层上;所述掺杂层的厚度大于所述多晶硅层的厚度;所述掺杂层一端与所述电介质层相接触,另一端与所述电极相接触;其中,所述掺杂层与所述电介质层相接处的一端的掺杂浓度小于所述掺杂层与所述电极相接触的另一端的掺杂浓度。

著录项

  • 公开/公告号CN215183999U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 泰州中来光电科技有限公司;

    申请/专利号CN202120944377.8

  • 申请日2021-04-30

  • 分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/042(20140101);

  • 代理机构11137 北京金之桥知识产权代理有限公司;

  • 代理人林建军;李红

  • 地址 225500 江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路

  • 入库时间 2022-08-23 03:14:29

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