退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN215183999U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 泰州中来光电科技有限公司;
申请/专利号CN202120944377.8
发明设计人 沈承焕;陈嘉;季根华;杜哲仁;陆俊宇;林建伟;
申请日2021-04-30
分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/042(20140101);
代理机构11137 北京金之桥知识产权代理有限公司;
代理人林建军;李红
地址 225500 江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路
入库时间 2022-08-23 03:14:29
机译: 背接触式太阳能电池导电复合板及其制备方法,背接触式太阳能电池互连结构和双面背接触式太阳能电池组件
机译: 背面接触太阳能电池导电复合板及其制备方法,背面接触太阳能电池互连结构,双面背面触点太阳能电池组件
机译: 电路具有形成有接触部的接触结构,该接触部形成在保护层的背离太阳能电池的前侧的前侧上
机译:两侧都有接触的高效硅太阳能电池硅太阳能电池具有简单,无结构的背面接触,可将超过四分之一的入射阳光转换为电能。新概念为进一步提高效率提供了巨大潜力。
机译:太阳能电池:具有双重孔结构和改进的界面接触的三层结构复合隔膜,可实现染料敏化的可持续太阳能电池(Adv。Energy Mater。13/2014)
机译:埋入式发射极太阳能电池结构:背面接触太阳能电池的金属化几何形状和载流子收集几何形状的解耦
机译:返回带有异位接触的增强型异质结构-BEHIND-太阳能电池
机译:柔性基板碲化镉太阳能电池背面接触结构中的氮化钼膜。
机译:ZnTe:Cu背接触对CdTe倒装结构纳米晶太阳能电池性能的影响
机译:硅异质结构背接触太阳能电池接触方案的仿真
机译:半导体结构损坏伴随着III-V太阳能电池中的接触形成