用于实现局灶性TMS干预的磁场屏蔽装置

摘要

本实用新型涉及用于实现局灶性TMS干预的磁场屏蔽装置，包括上层硅钢板层、中层坡莫合金板层和下层隔热层，中间设有上下贯通的中孔。与现有技术相比，本实用新型构建外层不易饱和高导磁材料(硅钢)，联合内层易饱和高导磁材料(坡莫合金)所制作的复合磁屏蔽材料，可实现TMS磁场的屏蔽，而通过该复合磁屏蔽材料中心打孔，也可在不改变中心区域磁场强度及感应电场强度的情况下，进一步实现打孔区域的局部TMS刺激。