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DRAM的列选择信号的控制电路及包括其的存取存储器

摘要

本发明属动态随机存取存储器技术领域,涉及一种动态随机存取存储器的列选择信号的控制电路。所述控制电路包括列选择信号生成电路,还包括:与所述动态随机存取存储器的存储单元相应的冗余单元、以及冗余字线驱动模块;其中,当所述冗余单元的放大读出电压与预置的电压阈值相匹配时,所述列选择信号生成电路生成列选择信号。该动态随机存取存储器,其包括存储阵列、存储阵列中的存储单元的读通路,其特征在于,所述存储阵列中还包括冗余单元,所述动态随机存取存储器还包括该列选择信号的控制电路。该动态随机存取存储器在保证读可靠性的同时,提高读操作速度。

著录项

  • 公开/公告号CN103123806B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN201110369979.6

  • 发明设计人 解玉凤;林殷茵;

    申请日2011-11-20

  • 分类号

  • 代理机构上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人吴桂琴

  • 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

  • 入库时间 2022-08-23 09:44:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-03

    授权

    授权

  • 2013-08-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/4063 申请日:20111120

    实质审查的生效

  • 2013-05-29

    公开

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