公开/公告号CN214653918U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州禹清自动化系统工程有限公司;
申请/专利号CN202120730137.8
发明设计人 韩雪清;
申请日2021-04-12
分类号C02F3/12(20060101);
代理机构33338 杭州兴知捷专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人周文停
地址 311100 浙江省杭州市余杭区良渚街道好运街152号2幢2层206
入库时间 2022-08-23 01:44:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-01-14
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C02F 3/12 专利号:ZL2021207301378 变更事项:专利权人 变更前:杭州禹清自动化系统工程有限公司 变更后:浙江禹清自动化科技有限公司 变更事项:地址 变更前:311100 浙江省杭州市余杭区良渚街道好运街152号2幢2层206 变更后:311100 浙江省杭州市余杭区良渚街道好运街152号2幢2层206
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
机译: 一种多层-厚膜技术(多层厚膜技术)中的电子开关元件和/或电路的制造方法,其以这样的方式在基板和开关元件和/或电路上生产
机译: 在硅上沉积砷化镓的新型掩膜技术
机译: 在硅上沉积砷化镓的新型掩膜技术