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公开/公告号CN103825581B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军国防科学技术大学;
申请/专利号CN201310671683.9
发明设计人 梁斌;万鸿;姚龙;陈书明;郭阳;李振涛;孙永节;池雅庆;陈建军;刘祥远;
申请日2013-12-11
分类号
代理机构国防科技大学专利服务中心;
代理人郭敏
地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
入库时间 2022-08-23 09:44:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-17
授权
2014-06-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 3/3562 申请日:20131211
实质审查的生效
2014-05-28
公开
机译: “提供一种用于提供抗单粒子翻转脉冲宽度调制器集成电路”
机译: 提供一种用于提供抗单粒子翻转脉冲宽度调制器集成电路
机译: 电路,用于提供抗单粒子翻转脉冲宽度调制器集成电路
机译:低电压13T抗辐射SRAM位单元的单粒子翻转耐受性研究
机译:单粒子翻转宽容闩与并行节点
机译:单粒子翻转容错设计锁存器
机译:一种新型的单粒子翻转容错12T的存储器单元实施航天应用
机译:基于辐射硬化脉冲的d触发器设计。
机译:通过单粒子运动的超定位成像揭示分子识别的瞬态事件
机译:管网中逆瞬态分析的最佳测量位置位置
机译:用于单粒子翻转模拟的脉冲激光系统的表征和校准。