一种多结砷化镓太阳电池一次腐蚀工艺方法

摘要

本发明属于新能源以及空间电源领域，涉及一种多结砷化镓太阳电池一次腐蚀工艺方法，可利用单一腐蚀液一次腐蚀制备隔离槽及划片槽。该发明公开了一种隔离槽/划片槽一次腐蚀制备工艺，包含了光刻胶保护工艺、一次腐蚀工艺，其中隔离槽腐蚀是制备集成旁路二极管的关键工序。其特征在于：该工艺通过光刻胶掩蔽工艺制备图形，通过单一腐蚀液一次腐蚀至衬底层；一次腐蚀可同时腐蚀正面外延层及背面衬底材料；一次腐蚀可同时制得隔离槽及划片槽；通过一次腐蚀、电极蒸镀、合金等工序制得的旁路二极管可保护太阳电池免受“热斑”等空间损害；通过一次腐蚀制得划片槽，直接切割划片槽可避免边缘机械损伤，影响电池电性能。