一种用于二氧化碳检测的2051nm激光芯片

摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于二氧化碳检测的2051nm激光芯片，其不同之处在于：其由下至上依次包括n型InP衬底、缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层、光栅层、光栅覆盖层、上包覆层和接触层，还包括位于n型InP衬底下方的n面电极和位于接触层上方的p面电极。本实用新型可实现CO₂的快速高精度测量。