公开/公告号CN212801395U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-03-26
原文格式PDF
申请/专利权人 长江勘测规划设计研究有限责任公司;
申请/专利号CN202021813361.5
申请日2020-08-26
分类号E02B3/00(20060101);E02B3/10(20060101);E02B5/00(20060101);E02B5/02(20060101);E02B7/10(20060101);
代理机构42113 武汉楚天专利事务所;
代理人胡盛登
地址 430010 湖北省武汉市江岸区解放大道1863号
入库时间 2022-08-22 20:27:30
机译: 具有增强型NMOS和凹陷型MOS的半导体集成电路器件,该凹陷型MOS具有N型沟道杂质区和在N型沟道杂质区下方的P型杂质层
机译: 具有N型沟道杂质区和P型杂质层的N型沟道杂质区下具有增强型NMOS和压陷型MOS的半导体集成电路器件
机译: 成为独立的,扭曲的N沟道型和P沟道型晶体管