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一种基于应力硅的硅基电光调制器

摘要

本实用新型公开了一种基于应力硅的硅基电光调制器,包括:阴极,所述阴极沿横向依次设置第一重掺杂区、第一中等掺杂区及第一轻掺杂区,其中所述第一轻掺杂区包括一体成形且互相垂直的平板区一及凸条区一;阳极,所述阳极沿横向依次设置第二重掺杂区、第二中等掺杂区及第二轻掺杂区,其中所述第二轻掺杂区包括一体成形且相互垂直的平板区二及凸条区二,所述第一轻掺杂区的所述凸条区一与所述第二轻掺杂区的所述凸条区二电性连接;压应力薄膜区,所述压应力薄膜区与所述平板区一接触;张应力薄膜区,所述张应力薄膜区与所述平板区二接触;本实用新型利用薄膜应力改变硅晶体中硅原子晶格常数,提高其中电子或空穴的迁移率,降低环路电阻。

著录项

  • 公开/公告号CN212623439U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-02-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202021350401.7

  • 发明设计人 周治平;李德钊;

    申请日2020-07-10

  • 分类号G02F1/015(20060101);G02F1/01(20060101);

  • 代理机构11732 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人周新楣

  • 地址 100089 北京市海淀区中关村北大街127-1号一层102-4室

  • 入库时间 2022-08-22 19:52:22

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