一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构

摘要

本实用新型公开了一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构，包括N型衬底，N型衬底下设有第一金属层，N型衬底上设有P型外延，P型外延内扩有两个N型阱，N型阱从P型外延的顶部沿伸至P型外延的底部，并与N型衬底相连，P型外延内扩有P型第一阱区和位于P型第一阱区上面的P型第二阱区，在P型外延上覆盖有氧化层，氧化层上设有第二金属层，第二金属层通过接触孔与P型第二阱区相连。本实用新型通过N型衬底、P型第一阱区和P型第二阱区，实现了整个环路上的二极管布局，增加了瞬态电压抑制器的峰值电流IPP流通能力，当用在电流较小的电路中时，无需额外串联限流元件，使用成本更低。