公开/公告号CN212293844U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-01-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第四十六研究所;
申请/专利号CN202020950972.8
申请日2020-05-29
分类号C30B29/08(20060101);C30B28/08(20060101);C22B41/00(20060101);
代理机构12105 天津中环专利商标代理有限公司;
代理人胡京生
地址 300220 天津市河西区洞庭路26号
入库时间 2022-08-22 19:00:23
机译: 可以使用一种生产非常纯的锗或卤化硅的方法,特别是以用于生产非常纯的锗或用于整流器,晶体管等的硅的原料的形式
机译: 超高纯碳化硅的制造方法,系统以及由其制造的超高纯碳化硅,特别是用于在散装中获得超高纯碳化硅
机译: 一种锗或硅锗的浮区熔化方法。