公开/公告号CN212018089U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-11-27
原文格式PDF
申请/专利权人 将乐三晶新材料有限公司;
申请/专利号CN202020604549.2
申请日2020-04-21
分类号B02C19/06(20060101);B02C23/00(20060101);
代理机构11589 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人曹玉清
地址 353300 福建省三明市将乐县古镛镇漠仂村58号
入库时间 2022-08-22 18:17:08
机译: 公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。
机译: 一种制备金属硅纳米线的方法及由此制备的金属硅纳米线
机译: 金属硅粉及其制备方法,使球形二氧化硅粉与