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一种基于碳纳米管场效应晶体管的低功耗D触发器

摘要

本实用新型属于电力电子技术领域,公开了一种基于碳纳米管场效应晶体管的低功耗D触发器,包括第一CNTFET管、第二CNTFET管、第三CNTFET管、第四CNTFET管、第五CNTFET管、第一反相器和第二反相器。通过五个碳纳米管场效应晶体管和两个反相器即可实现D触发器的功能,大大减少了碳纳米管场效应晶体管的使用数量,进而降低整个D触发器的电流和功耗,输入数据只需要通过一个碳纳米管场效应晶体管,减少了延迟时间,运行速度快。并且,基于使用了碳纳米管场效应晶体管,整个D触发器所需的布局面积也可以减少,进而缩小D触发器的体积。

著录项

  • 公开/公告号CN211720533U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陕西科技大学;

    申请/专利号CN202020646619.0

  • 申请日2020-04-24

  • 分类号H03K3/3562(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人李鹏威

  • 地址 710021 陕西省西安市未央区大学园

  • 入库时间 2022-08-22 17:22:27

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