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公开/公告号CN211553098U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-09-22
原文格式PDF
申请/专利权人 南京大学;
申请/专利号CN202020266220.X
发明设计人 赵清源;卢海杨波;
申请日2020-03-06
分类号G01J11/00(20060101);H03K5/02(20060101);G01R19/00(20060101);
代理机构32207 南京知识律师事务所;
代理人刘丰
地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
入库时间 2022-08-22 16:54:12
机译: 采用级联和级联拓扑实现的单端输入到差分端输出低噪声放大器
机译: 单级,低噪声,低温。放大器-磁阻放大器耦合线圈并联或串联连接到两触点SQUID
机译: 具有级联转换开关的低噪声放大器,用于载波聚合
机译:一种低噪声,增益平坦的放大器,由二氧化硅和氟化物的Er / sup 3 +/-掺杂光纤放大器级联构成
机译:低噪声系数,高增益单LNA与级联LNA放大器级联,使用优化的电感漏极反馈在无线应用中直接转换RF前端接收器
机译:低噪声系数,高增益单路LNA与级联LNA放大器级联,采用优化的电感漏极反馈,用于无线应用中的直接转换RF前端接收器
机译:GaAs MESFET在低温低噪声放大器中实现低温低噪声放大器在低温低温下
机译:用于傅里叶变换质谱的低温低噪声放大器
机译:宽带低温微波低噪声放大器
机译:低噪声系数,高增益单LNa与级联LNa放大器级联,采用优化的感应漏极反馈,适用于无线应用的直接转换RF前端接收器
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC