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一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器

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本发明公开了一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器，其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp?p?π?M?n异质结构，具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。

著录项

公开/公告号CN104576805B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-07-06

原文格式PDF
申请/专利权人哈尔滨工业大学;
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申请/专利号CN201510030089.0
发明设计人于清江;李晓超;蒋洞微;于翠玲;国凤云;王金忠;
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申请日2015-01-21
分类号H01L31/101(20060101);H01L31/0304(20060101);
代理机构23206 哈尔滨龙科专利代理有限公司;
代理人高媛
地址 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 09:42:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-06

授权

授权
2015-05-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/101 申请日:20150121

实质审查的生效
2015-04-29

公开

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