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最大池化处理用半导体结构、芯片和最大池化处理用装置

摘要

一种最大池化处理用半导体结构、芯片和最大池化处理用装置,其中,最大池化处理用半导体结构包括:第一基底,所述第一基底包括若干控制区,所述控制区包括平行于所述第一面排布的若干控制模块;与所述第一基底键合的第二基底,所述第二基底包括若干运算区,所述运算区包括平行于所述第三面排布的若干运算模块;与所述第一基底或所述第二基底键合的第三基底,所述第三基底包括若干存储区,所述存储区包括平行于所述第五面排布的若干存储模块。所述最大池化处理用半导体结构能够提高用于最大池化处理的芯片的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN211125641U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201922350766.3

  • 发明设计人 余兴;蒋维楠;

    申请日2019-12-24

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐文欣

  • 地址 314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室

  • 入库时间 2022-08-22 15:35:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-28

    授权

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