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公开/公告号CN210984704U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-07-10
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司;
申请/专利号CN201922323715.1
发明设计人 徐良;曹力力;蓝文安;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭炜;叶继春;
申请日2019-12-20
分类号
代理机构北京辰权知识产权代理有限公司;
代理人董李欣
地址 321000 浙江省金华市南二环西路2688号
入库时间 2022-08-22 15:12:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-10
授权
机译: 一种用于在退火中将物体引入退火的装置,特别是玻璃泡沫块的退火装置
机译: 借助于退火炉之前的退火炉装料的装置和堆叠台可移动的装载车
机译: 垂直碳化硅半导体装置的退火沟槽的装置,垂直碳化硅半导体装置的制造方法以及垂直碳化硅半导体装置
机译:注入的硅晶片的光学和结构特性:注入能量和随后的等时退火温度的影响
机译:热退火对掺PLAN硅晶片微观结构的影响
机译:通过四层堆叠累积辊粘合工艺对纳米结构铝合金退火的微观结构变化
机译:通过退火的定期结构碳化硅纳米线,通过退火机械合金化无定形的无定形2SIB3CN粉末获得
机译:飞行时间正电子an灭诱导的俄歇电子能谱研究了真空退火下6H-碳化硅的表面改性。
机译:通过层状MoS2 / g-C3N4纳米杂化体退火获得多层堆叠结构的α-MoO3晶体
机译:一种估算缓解应力退火残余焊接应力的有效方法(报告IV):厚焊缝应力释放退火方法的适用性(力学,强度和结构设计)
机译:一种用于相变点扩散过程研究的循环退火装置